罗姆推出650V IGBT 实现业界领先的低损耗特性
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盖世汽车 刘丽婷2026-08-27

盖世汽车讯 据外媒报道,罗姆半导体(ROHM Semiconductor)宣布,已开发出第四代650V IGBT,适用于汽车电动压缩机、高压加热器以及工业设备逆变器等应用。作为车规级650V产品,新款IGBT在VCE(sat)=1.55V时实现了同类领先的低导通损耗,同时具备高短路容差,并符合AEC-Q101汽车可靠性标准。

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图片来源:罗姆

随着电动汽车向更高电压发展,碳化硅(SiC)在牵引逆变器等高功率应用中的应用日益广泛。与此同时,650V IGBT也被广泛用作低功率辅助系统的开关器件,例如汽车电动压缩机和高压加热器。硅基IGBT也广泛应用于工业设备,特别是电机和压缩机,预计市场需求将持续增长。

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